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陶瓷封装(Ceramic PKG)

氧化铝或者氧化锆之类的无机物在高温下制造而成的物质，安装于传感器、高频、高功率LED、应用于医疗、国防的电子配件等，还可用于Case(机箱)，优点是耐磨耗性、耐热性、屏蔽电波、耐腐蚀性等，可用于可靠性高的电子配件。

陶瓷封装特性及优点

  1. 一般用于要求高性能、可靠性应用。
  2. 高倾斜度和弹性系数、耐蚀性、耐磨耗性，热膨胀系数相对较低。
  3. 高频特性良好，抗热可以很容易体现各种温度特性。
  4. 因其没有极性，利于在基板安装.。
  5. 随着移动通信机器、数码家电等成套产品的数码化、高频化及小型化，使用范围扩大。

陶瓷物性(Ceramic Material)

T.C.E[10-6/K]
Alumina MDTB-900 6.7
R.T. -400C
MDTW-900 6.8
R.T. -400C
ALN 4.4
R.T. -400C
Polyimide
(REF.)		 20-70
R.T. -300C
Si
(REF.)		 3.6
R.T. -400C
GaAs
(REF.)		 6.0
R.T. -400C
Thermal Conductivity[W/mk, R.T.]
Alumina MDTB-900 17
MDTW-900 17
ALN 170
Polyimide
(REF.)		 0.2
Si
(REF.)		 125
GaAs
(REF.)		 54
Yung’s Modulus[GPa]
Alumina MDTB-900 280
MDTW-900 280
ALN 350
Polyimide
(REF.)		 3
Si
(REF.)		 -
GaAs
(REF.)		 -
Bending Strength[MPa]
Alumina MDTB-900 350
MDTW-900 350
ALN 350
Polyimide
(REF.)		 -
Si
(REF.)		 100
GaAs
(REF.)		 -
∂-Particle Count[Count/cm2-h]
Alumina MDTB-900 0.1
MDTW-900 0.1
ALN 0.1
Polyimide
(REF.)		 -
Si
(REF.)		 -
GaAs
(REF.)		 -
Dielectric / Constant[1MHz R.T. / 10GHz R.T.]
Alumina MDTB-900 9.4
8.8
MDTW-900 9.8
9.0
ALN 8.9
8.5
Polyimide
(REF.)		 3.2
-
Si
(REF.)		 12.0
-
GaAs
(REF.)		 13.1
-
Dielectric / Loss[1MHz R.T. / 10GHz R.T.]
Alumina MDTB-900 5×10-4
1×10-3
MDTW-900 4×10-4
1×10-3
ALN 3×10-4
3×10-3
Polyimide
(REF.)		 6×10-3
-
Si
(REF.)		 -
GaAs
(REF.)		 -
Volume Resistivity[Ωm]
Alumina MDTB-900 1012
MDTW-900 1012
ALN 1012
Polyimide
(REF.)		 1012
Si
(REF.)		 108
GaAs
(REF.)		 10-8 10-6
Breakdown Voltage[KV/mm]
Alumina MDTB-900 15
MDTW-900 15
ALN 15
Polyimide
(REF.)		 300
Si
(REF.)		 -
GaAs
(REF.)		 -