알루미나 또는 지르코니아 같은 무기물을 고온 소성시켜 만든 물질로 센서, 고주파, 고출력 LED, 의료용, 국방용 전자 부품 등을 조립하는데 Case(케이스)로 사용되며, 장점으로는 내마모성 내열성, 전파 차폐성, 내 부식성 등이 있어 고 신뢰성 전자 부품에 사용된다.
T.C.E[10-6/K] | ||
Alumina | MDTB-900 | 6.7 R.T. -400C |
MDTW-900 | 6.8 R.T. -400C |
|
ALN | 4.4 R.T. -400C |
|
Polyimide (REF.) |
20-70 R.T. -300C |
|
Si (REF.) |
3.6 R.T. -400C |
|
GaAs (REF.) |
6.0 R.T. -400C |
Thermal Conductivity[W/mk, R.T.] | ||
Alumina | MDTB-900 | 17 |
MDTW-900 | 17 | |
ALN | 170 | |
Polyimide (REF.) |
0.2 | |
Si (REF.) |
125 | |
GaAs (REF.) |
54 |
Yung’s Modulus[GPa] | ||
Alumina | MDTB-900 | 280 |
MDTW-900 | 280 | |
ALN | 350 | |
Polyimide (REF.) |
3 | |
Si (REF.) |
- | |
GaAs (REF.) |
- |
Bending Strength[MPa] | ||
Alumina | MDTB-900 | 350 |
MDTW-900 | 350 | |
ALN | 350 | |
Polyimide (REF.) |
- | |
Si (REF.) |
100 | |
GaAs (REF.) |
- |
∂-Particle Count[Count/cm2-h] | ||
Alumina | MDTB-900 | 0.1 |
MDTW-900 | 0.1 | |
ALN | 0.1 | |
Polyimide (REF.) |
- | |
Si (REF.) |
- | |
GaAs (REF.) |
- |
Dielectric / Constant[1MHz R.T. / 10GHz R.T.] | ||
Alumina | MDTB-900 | 9.4 8.8 |
MDTW-900 | 9.8 9.0 |
|
ALN | 8.9 8.5 |
|
Polyimide (REF.) |
3.2 - |
|
Si (REF.) |
12.0 - |
|
GaAs (REF.) |
13.1 - |
Dielectric / Loss[1MHz R.T. / 10GHz R.T.] | ||
Alumina | MDTB-900 | 5×10-4 1×10-3 |
MDTW-900 | 4×10-4 1×10-3 |
|
ALN | 3×10-4 3×10-3 |
|
Polyimide (REF.) |
6×10-3 - |
|
Si (REF.) |
- | |
GaAs (REF.) |
- |
Volume Resistivity[Ωm] | ||
Alumina | MDTB-900 | 1012 |
MDTW-900 | 1012 | |
ALN | 1012 | |
Polyimide (REF.) |
1012 | |
Si (REF.) |
108 | |
GaAs (REF.) |
10-8 10-6 |
Breakdown Voltage[KV/mm] | ||
Alumina | MDTB-900 | 15 |
MDTW-900 | 15 | |
ALN | 15 | |
Polyimide (REF.) |
300 | |
Si (REF.) |
- | |
GaAs (REF.) |
- |