

알루미나 또는 지르코니아 같은 무기물을 고온 소성시켜 만든 물질로 센서, 고주파, 고출력 LED, 의료용, 국방용 전자 부품 등을 조립하는데 Case(케이스)로 사용되며, 장점으로는 내마모성 내열성, 전파 차폐성, 내 부식성 등이 있어 고 신뢰성 전자 부품에 사용된다.
| T.C.E[10-6/K] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 6.7 R.T. -400C |
| MDTW-900 | 6.8 R.T. -400C |
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| ALN | 4.4 R.T. -400C |
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| Polyimide (REF.) |
20-70 R.T. -300C |
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| Si (REF.) |
3.6 R.T. -400C |
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| GaAs (REF.) |
6.0 R.T. -400C |
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| Thermal Conductivity[W/mk, R.T.] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 17 |
| MDTW-900 | 17 | |
| ALN | 170 | |
| Polyimide (REF.) |
0.2 | |
| Si (REF.) |
125 | |
| GaAs (REF.) |
54 | |
| Yung’s Modulus[GPa] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 280 |
| MDTW-900 | 280 | |
| ALN | 350 | |
| Polyimide (REF.) |
3 | |
| Si (REF.) |
- | |
| GaAs (REF.) |
- | |
| Bending Strength[MPa] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 350 |
| MDTW-900 | 350 | |
| ALN | 350 | |
| Polyimide (REF.) |
- | |
| Si (REF.) |
100 | |
| GaAs (REF.) |
- | |
| ∂-Particle Count[Count/cm2-h] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 0.1 |
| MDTW-900 | 0.1 | |
| ALN | 0.1 | |
| Polyimide (REF.) |
- | |
| Si (REF.) |
- | |
| GaAs (REF.) |
- | |
| Dielectric / Constant[1MHz R.T. / 10GHz R.T.] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 9.4 8.8 |
| MDTW-900 | 9.8 9.0 |
|
| ALN | 8.9 8.5 |
|
| Polyimide (REF.) |
3.2 - |
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| Si (REF.) |
12.0 - |
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| GaAs (REF.) |
13.1 - |
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| Dielectric / Loss[1MHz R.T. / 10GHz R.T.] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 5×10-4 1×10-3 |
| MDTW-900 | 4×10-4 1×10-3 |
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| ALN | 3×10-4 3×10-3 |
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| Polyimide (REF.) |
6×10-3 - |
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| Si (REF.) |
- | |
| GaAs (REF.) |
- | |
| Volume Resistivity[Ωm] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 1012 |
| MDTW-900 | 1012 | |
| ALN | 1012 | |
| Polyimide (REF.) |
1012 | |
| Si (REF.) |
108 | |
| GaAs (REF.) |
10-8 10-6 | |
| Breakdown Voltage[KV/mm] | ||
| Alumina | MDTB-900 | 15 |
| MDTW-900 | 15 | |
| ALN | 15 | |
| Polyimide (REF.) |
300 | |
| Si (REF.) |
- | |
| GaAs (REF.) |
- | |